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        SOI高速光開關(guān)陣列
        SOI高速光開關(guān)陣列具有多通道,高集成度芯片化,高速響應(yīng)的特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)等領(lǐng)域
        產(chǎn)品咨詢
        詳細(xì)信息

        SOI高速光開關(guān)陣列

               SOI高速光開關(guān)陣列,該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換,實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動(dòng),偏振相關(guān)性小,插入損耗低。    

        SOI高速光開關(guān)陣列特性

        • 多通道
        • 高集成度芯片化
        • 高速響應(yīng)
        SOI高速光開關(guān)陣列應(yīng)用
        • 光纖傳感
        • 光纖通信
        • 光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)

        SOI高速光開關(guān)陣列規(guī)格參數(shù)

            參數(shù)指標(biāo)
        單位
        最小值
        典型值
        最大值
        備注
            波長(zhǎng)范圍
        nm
        1530—1570 nm  or 1270nm—1330 nm
            消光比
        dB
        19
        20
        22

            插入損耗
        dB
        1.6
        1.8
        2.0

            回波損耗
        dB
        40
        50


            偏振相關(guān)損耗
        dB

        0.3
        0.5

            驅(qū)動(dòng)電壓
        V
        0.9
        1
        1.2
        @300ns
            驅(qū)動(dòng)電流
        mA
        6
        7
        9
        @300ns
            芯片級(jí)響應(yīng)時(shí)間
        ns
        30

        300

            熱調(diào)功耗
        mW
        30

        50

            通道數(shù)

        8—16或可定制
            光功率
        mW
        80



            工作溫度范圍
        °C
        -20

        50

            工作濕度范圍
        %


        +65

            尺寸mm
        芯片:20(L)×3 (W)×0.5(H)
        可定制
        器件:90(L)x50(W)x13(H)


        芯片尺寸



        器件尺寸

        SOI高速光開關(guān)陣列器件尺寸


        四川梓冠光電SOI高速光開關(guān)陣列訂貨信息

        ZG波長(zhǎng)
        通道數(shù)
        類型
        13=1310nm
        15=1550nm
        1=1CH
        4=4CH
        8=8CH
        16=CH
        XX=other
        1=不帶熱調(diào)
        2=帶熱調(diào)
        XX=other



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