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        SOI高速光開關(guān)1x8
        SOI高速光開關(guān)1x8具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)、高串擾的特點,主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護、激光器雷達等領(lǐng)域
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        詳細信息

        SOI高速光開關(guān)1x8

        一、SOI高速光開關(guān)1x8的定義

        硅光芯片用于高速光開關(guān),其原理類似demux,將單路光分成多路,每次只選通其中一路。當前設(shè)計綜合考慮工藝的成熟度、集成難度、靈活性,在 Sample A1決定采用純光纖的模塊化方案,一個模塊為 1x8 形式。光開關(guān)輸入、輸出采用光纖/光纖陣列。采購模塊化的產(chǎn)品,即已經(jīng)封裝好的、帶有光纖的模塊。該模塊可以焊接在 的PCB 上直接使用。
        二、SOI高速光開關(guān)1x8的特點
        多通道
        高集成度芯片化
        高速響應(yīng)
        高串擾
        三、SOI高速光開關(guān)1x8的應(yīng)用
        光纖傳感
        光纖通信
        光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護

        激光器雷達

        四、SOI高速光開關(guān)1x8的性能指標

        參數(shù)指標參數(shù)備注
        波長
        1530-1565nm

        光開關(guān)構(gòu)架
        1x8
        雙向、TE/TM
        開關(guān)速度
        <200ns

        插損
        ≤8db
        光纖到光纖(室溫)
        消光比
        >18db

        申擾
        >25db

        回波損耗
        >35db
        入射到光纖中功率與反射功率的比值
        最大光功率
        300mw
        輸入功率
        開關(guān)重復(fù)頻率(PRF)
        1MHz

        工作溫度范圍
        -20~+70°C

        存儲溫度
        -40~+85℃

        輸入方式
        可選
        封裝后甩線,保偏FC/APC(Sample A1),鍍層AR
        輸出方式
        光纖
        封裝后甩線*8,保偏FC/APC(Sample A1),鍍層AR
        開關(guān)壽命
        10年

        五、SOI高速光開關(guān)1x8模塊化后的電氣參數(shù)


        參數(shù)備注
        1x8 Unit功耗@300khz   開關(guān)頻率(最大)
        300mW

        開關(guān)驅(qū)動電流(最大)
        15mA

        開關(guān)控制電壓
        2V

        調(diào)整偏置電流/電壓范圍
        30mA/3V

        溫度傳感器

        未集成溫度傳感器或TEC
        六、SOI高速光開關(guān)1x8芯片尺寸



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