SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列

一、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的定義
S0I芯片式偏振光開(kāi)關(guān)或偏振控制器，該產(chǎn)品基于硅基 P-I-N高速移相結(jié)構(gòu)和氮化鈦熱移相結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)偏振控制和開(kāi)關(guān)的片上集成，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
二、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的特點(diǎn)
多通道
高度集成度芯片化
高速響應(yīng)
三、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達(dá)

四、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的性能指標(biāo)

參數(shù)指標(biāo)	單位	最小值	典型值	最大值
波長(zhǎng)范圍	nm	1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
熱調(diào)功耗	mW			100
電調(diào)功耗	mW			10
響應(yīng)速率	Hz	>20kHz@熱調(diào)試模式，>10MHz@電調(diào)模式
偏振消光比	dB	>30 dB@熱調(diào)試模式，>18dB@電調(diào)模式
通道數(shù)		1,2或可定制
光纖接入損耗	dB	<2@熱調(diào)模式，<3@電調(diào)模式
偏振相關(guān)損耗	dB	≤0.5
工作溫度范圍	℃	-20		50
工作濕度范圍	%			+65
芯片尺寸	mm	偏振開(kāi)關(guān):3.14(L)X1.0(W)X0.5(H) 偏振控制器:3.1(L)X0.6(W)x0.5(H)

五、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的芯片尺寸

SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的芯片尺寸

六、四川梓冠光電SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列訂貨信息

波長(zhǎng)	類(lèi)型	通道數(shù)
13=1310nm 15=1550nm	1=偏振開(kāi)關(guān) PS 2=偏振控制器PC XX=other	1=1CH，4=4CH，8=8CH， 16=CH，48=48CH，XX=0ther

返回列表

為您推薦: SOI高速光開(kāi)關(guān)1x8

SOI高速光開(kāi)關(guān)1x8波長(zhǎng)1530-1565nm、插損≤8db、開(kāi)關(guān)速度<200ns

SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列

SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列

SOI高速多通道光衰減器

SOI高速多通道光衰減器波長(zhǎng)范圍1530-1570nm或1270-1330nm